AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究

王欣娟; 张金凤; 张进城; 郝跃

首页> 中文期刊> 《物理学报》 >AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究

AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

通过对AlGaN/GaN HEMT器件肖特基栅电流输运机理的研究,在变温下采用I-V法对AlGaN/GaN上的Ni/Au肖特基势垒高度和理想因子进行了计算.通过对不同电流机理的分立研究,得到了更为准确的势垒高度值鯾.通过分析温度在300-550K之间肖特基反向泄漏电流的特性,得出结论:AlGaN材料的表面漏电不是HEMT器件反向泄漏电流的主要来源.

著录项

来源
《物理学报》 |2008年第5期|3171-3175|共5页
作者
王欣娟; 张金凤; 张进城; 郝跃;
展开▼
作者单位

西安电子科技大学,宽禁带半导体技术重点实验室,西安,710071;

西安电子科技大学,宽禁带半导体技术重点实验室,西安,710071;

西安电子科技大学,宽禁带半导体技术重点实验室,西安,710071;

西安电子科技大学,宽禁带半导体技术重点实验室,西安,710071;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类物理学;
关键词
AlGaN/GaN异质结; 肖特基结; 理想因;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展 [J] . 康玄武 ,郑英奎 ,王鑫华 . 电源学报 . 2019,第003期
2. AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究 [J] . 岳远征 ,郝跃 ,张进城 . 西安电子科技大学学报（自然科学版） . 2008,第001期
3. 晶格匹配InAlN/GaN异质结肖特基接触反向电流的电压与温度依赖关系 [J] . 闫大为 ,吴静 ,闫晓红 . 物理学报 . 2021,第007期
4. AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及性质研究 [J] . 董逊 ,孔月婵 ,周建军 . 固体电子学研究与进展 . 2011,第5期
5. 等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN/GaN HEMT栅电流的机理 [J] . 李诚瞻 ,庞磊 ,刘新宇 . 半导体学报：英文版 . 2007,第11期
6. 具有复合钝化层的门控结终端AlGaN/GaN肖特基二极管新结构研究 [C] . 白智元 ,杜江锋 ,蒋知广 . 第二届全国宽禁带半导体学术会议 . -1
7. 肖特基浮动金属环对AlGaN/GaN异质结肖特基二极管的性能影响研究 [A] . 宋超凡 . 2011

AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅