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CdTe太阳电池中起因于Cu的深能级

         

摘要

在CdTe太阳电池中,易引入并形成Cu深能级中心.本文采用深能级瞬态谱测试法研究了ZnTe背接触和石墨背接触CdTe太阳电池的部分深能级中心.研究中运用密度泛函相关理论,分析闪锌矿结构CdTe,Cd空位体系和掺Cu体系的电子态密度,计算得出T_d场和C_(3v)场下Cu~(2+)d轨道的分裂情况.计算结果表明,CdTe太阳电池中的E_v+0.206eV和E_v+0.122 eV两个深中心来源于Cu替代Cd原子.计算结果还表明,掺入Cu可降低CdTe体系能量.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2010年第4期|2783-2788|共6页
  • 作者单位

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;

    四川大学材料科学与工程学院,成都,610064;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    深能级瞬态谱; 第一性原理; CdTe; Cu杂质;

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