机译:半绝缘CdTe:Cl辐射探测器中深能级补偿,电阻率和电场之间的关系
CNR IMM, Via Monteroni, I-73100 Lecce, Italy;
CNR IMM, Via Monteroni, I-73100 Lecce, Italy;
CNR IMM, Via Monteroni, I-73100 Lecce, Italy;
CNR IMM, Via Fosso Cavaliere 100, I-00133 Rome, Italy;
CdTe; x-ray detectors; deep levels; electrical compensation; Pockels effect;
机译:亚间隙飞行时间:半绝缘CdTe:Cl深层光谱学研究
机译:半绝缘CdTe(In)和CdTe(Sn)中的深层光致发光
机译:辐照对半绝缘GaAs补偿在粒子探测器应用中的影响
机译:探测器级CdTe的电阻率和深层研究:不同生长技术的比较
机译:像素化CDTE辐射检测器中的边缘效应
机译:石墨烯/半绝缘单晶CdTe肖特基型异质结X射线和γ射线辐射探测器
机译:CdTe:辐射探测器中电场的时间和温度演化