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非晶硅锗电池性能的调控研究

         

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,研究了非晶硅锗薄膜太阳电池。针对非晶硅锗薄膜材料的本身特性,通过调控硅锗合金中硅锗的比例,实现了对硅锗薄膜太阳电池中开路电压和短路电流密度的分别控制。借助于本征层硅锗材料帯隙梯度的设计,获得了可有效用于多结叠层电池中的非晶硅锗电池。%In this paper, we study hydrogenated amorphous silicon germanium thin film solar cells prepared by the radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition. In the light of the inherent characteristics of hydrogenated amorphous silicon germanium mate-rial, the modulation of the germanium/silicon ratio in silicon germanium alloys can separately control open circuit voltage (Voc) and short circuit current density (Jsc) of a-SiGe:H thin film solar cells. By the structural design of band gap profiling in the amorphous silicon germanium intrinsic layer, hydrogenated amorphous silicon germanium thin film solar cells, which can be used efficiently as the component cell of multi-junction solar cells, are obtained.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2013年第20期|546-551|共6页
  • 作者单位

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

    光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;

    光电信息技术科学教育部重点实验室;

    天津 300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

    光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;

    光电信息技术科学教育部重点实验室;

    天津 300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

    光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;

    光电信息技术科学教育部重点实验室;

    天津 300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

    光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;

    光电信息技术科学教育部重点实验室;

    天津 300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

    光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;

    光电信息技术科学教育部重点实验室;

    天津 300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

    光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;

    光电信息技术科学教育部重点实验室;

    天津 300071;

    南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

    光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;

    光电信息技术科学教育部重点实验室;

    天津 300071;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    非晶硅锗薄膜太阳电池; 短路电流密度; 开路电压; 带隙梯度;

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