发射率对半导体器件显微红外测温结果的影响

摘要

为了确认半导体器件较低的发射率对显微红外测温结果的影响,采用研制的半导体材料和金属材料靶标进行了一系列验证实验,分析了发射率对显微红外热像仪测温准确度的影响.研制了带有铂电阻结构的GaAs材料靶标和Au材料靶标,用显微红外热像仪对黑体和研制的2种靶标进行了不同温度下的测试,在110°C条件下,黑体、GaAs、Au 3种材料的温度偏差为1.9,3.7,7.9 °C.测试结果表明,材料发射率越低,测温误差越大,且误差会随着温度的升高而增大.利用显微红外热像仪进行半导体器件温度测量时,需要考虑发射率的影响.