多晶硅太阳电池激光损伤杂质吸除

摘要

在多晶硅片背面进行激光辐射损伤,随后进行退火处理,使体内杂质在背表面富集,用化学腐蚀方法将背表面损伤层腐蚀后,进行电池制作,可改善电池特性。 研究了退火时间和退火温度对电池性能的影响,实验得到最佳的退火温度为1000℃,退火时间为1小时。在最佳条件下进行退火处理的电池可使转换效率增加18％。 中子活化分析表明,经处理的多晶硅片中杂质含量明显下降。 用曲线拟合法,由太阳电池光谱响应计算了电池少数载流子扩散长度。经最佳退火条件处理的电池,其少数载流子扩散长度由5.5μm增加至20.1μm。