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刘志平; 赵谡玲; 徐征; 刘金虎; 李栋才;
北京交通大学太阳能研究所;
北京100044;
北京中联科伟达技术股份有限公司;
PECVD; 氮化硅; 镀膜工艺; 少子寿命;
机译:LPCVD和PECVD沉积的氮化硅膜的特征研究
机译:MEMS电容开关用PECVD氮化硅膜充电性能的沉积条件研究
机译:铌酸锂上PECVD氮化硅膜的沉积参数研究和表面声波表征
机译:通过在等离子体清洗序列中添加除氟来提高PECVD氮化硅沉积工艺的膜均匀性稳定性
机译:沉积后注入和退火对PECVD沉积氮化硅膜性能的影响
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:pECVD氮化硅沉积法作为mIm电容器介质对Gaas HBT工艺的影响
机译:化学气相沉积氮化硅的工艺研究
机译:具有膜的传感器的生产包括通过LPCVD或PECVD工艺在硅衬底的表面上沉积氮化硅层,以及从衬底的底侧蚀刻凹槽。
机译:使用后PECVD沉积UV固化增加氮化硅膜拉伸应力的方法
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