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姜德鹏; 黄珊珊; 马涤非; 彭娜; 张小宾;
上海空间电源研究所;
上海200245;
中山德华芯片技术有限公司;
中山528437;
Ⅲ-V族半导体; 宽带隙; 金属有机化合物气相外延; 量子效率;
机译:基于(0 0 1)Si衬底的应变Si_(1-x)Ge_x中的带隙变窄
机译:来自在弛豫的Si0.5Ge0.5 / Si(100)衬底上生长的Ge岛的直接带隙光发射
机译:来自在弛豫的Si_(0.5)Ge_(0.5)/ Si(100)衬底上生长的Ge岛的直接带隙光发射
机译:HCl辅助金属有机气相外延生长的实折射率导引AlGaInP可见激光器,带隙能高的AlInP电流阻挡层
机译:Algan / GaN高电子迁移率晶体管通过热仿真和子带隙光学泵浦的可靠性研究
机译:基于绝缘体上硅衬底的高响应性垂直照明Si / Ge单行进载流子光电二极管
机译:直接带隙类型-I GESN / GESN量子阱在GESN和GE-缓冲的SI衬底上阱
机译:利用激光辅助纳米压印自组装纳米粒子制备si和Ge衬底中的光子带隙结构
机译:黄绿色外延透明衬底-基于在间接带隙衬底上生长的应变能隙量子阱的LED和激光器
机译:一种在高衬底功率下使用稀释液在低衬底温度下制备低带隙非晶硅薄膜的方法
机译:黄绿色外延透明衬底-基于在间接带隙衬底上生长的应变InGaP量子阱的LED和激光器
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