MOS晶体管V_T成品率与沟道长度的关系

摘要

本文用Monte Carlo法模拟计算短沟MOSFET阈值电压V_T的成品率。当沟道变短,由于短沟道效应产品的V_T值变得更加分散。此外,当沟道长度L进入亚微米区,源漏的耗尽区可能在沟道中相接或重迭而使沟道消失。上述二个原因使V_T的成品率下降。