a-SiCx:H和β-SiC中Er缺陷结构及其1.54μm发光探索

薛俊明; 孙钟林; 刘志钢; 周伟

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本文提出在宽带隙的a-SiCx:H或β-SiC中共掺铒和氧以实现铒的1.54μm光发射.用集团模型和电荷自洽的EHMO理论计算了β-SiC中Er缺陷的电子结构,并在实验上实现了Er在a-SiCx:H中的1.54μm光致发光(77K).结果表明,β-SiC或a-SiCx:H有可能是实现Er的1.54m室温高效发光的优良基质材料.

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来源
《电子学报》|2000年第8期|135-138|共4页
作者
薛俊明; 孙钟林; 刘志钢; 周伟;
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作者单位

南开大学光电子所,天津,300071;

南开大学光电子所,天津,300071;

南开大学光电子所,天津,300071;

中科院半导体所材料科学实验室,北京,100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
硅基合金; Er-O复合体; 发光; 分子轨道理论;
入库时间 2023-07-24 21:25:47

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