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周咏东; 金亿鑫; 李仪; 蒋红; 李菊生;
中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;
中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;
离子注入,Er3+发光,阳极氧化,低温光致发光,深能级;
机译:应变Si和SiGe中Er在1.54μm处的光致发光增强
机译:Er3+掺杂位置对Er3+:BaTiO3薄膜上转换发光的影响
机译:掺铜的Er:SiO2系统中λ=1.54μm时增强的光致发光
机译:应变Si和SiGe中Er的1.54μm光致发光增强
机译:掺beam硅的离子束纳米工程技术可增强1.54微米的发光强度。
机译:基于全氟化Er(III)配合物的铱(III)配合物作为敏化剂增强了1.54μm的光致发光和电致发光
机译:校正:通过具有980nm排放的全氟化Pt(II)和Zn(II)酞菁致敏的全氟化铒复合物的增强的1.54μm发光
机译:电化学发光。第48部分。双(2,4,6-三氯苯基)草酸盐 - 发光体系的电化学和电化学发光
机译:应力引起的发光材料,应力引起的发光材料的制造方法,应力引起的发光涂料组合物,树脂组合物和应力引起的发光体
机译:本反馈增强型发光装置<相关申请的描述>要求(其全部内容通过引用合并于此)2002年5月8日提交的美国临时申请No.60 / 379,141的权益。称为“使用反馈增强型发光二极管的照明装置(LIGHTINGDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTEMITTINGDIODE)”,并且申请号为2003年5月8日,美国专利申请号为,并提交了2003年5月8日申请的“反馈型照明装置”。二极管美国专利申请号(这些申请的全部内容通过引用并入本文)与所使用的指定显示装置相关联和(DISPLAYDEVICESUSINGFEEDBACKENHANCEDLIGHTINGDIODE)。
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