Faculty of Engineering, Okayama University, 3-1-1 Tsushima-naka, Okayama 700-8530, Japan;
erbium; strain; silicon; photoluminescence;
机译:应变Si和SiGe中Er在1.54μm处的光致发光增强
机译:在应变的Si和SiGe中以1.54μm的Er进行光致发光和电致发光观察
机译:掺Er的ZnO基体中尺寸受控的Ge纳米晶的形成及其在1.54μm光致发光中的增强作用
机译:从紧张的Si和SiGe中从ER中加强光致发光。从er的1.54μm
机译:掺beam硅的离子束纳米工程技术可增强1.54微米的发光强度。
机译:Ge纳米晶体对Er2O3:ZnO和Ge共溅射膜中1.54μm光致发光增强的影响
机译:从ER / O掺杂Si中加强1.54米的光致发光,在光子晶体双异质结构微腔中