电化学腐蚀对Si：Er3＋材料中Er3＋发光的影响

摘要

利用离子注入技术在硅片表面制备了不同Ｅｒ＾３＋注入剂量的Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品，研究了电化学过程对Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品中Ｅｒ＾３＋发光的影响。样品低温红外光致发光实验证明：电化学过程同样在Ｓｉ：Ｅｒ＾３＋样品的硅基质晶体中引入了大量的深能级局域态，且这些局域态较难用退火方式进行控制。