SiGe/Si HBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响

徐晨; 沈光地; 邹德恕; 陈建新; 李建军; 罗辑; 魏欢; 周静; 董欣

首页> 中文期刊> 《电子学报》 >SiGe/Si HBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响

SiGe/Si HBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

从模拟和实验两方面研究了SiGe/Si HBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响.发现两界面偏离时器件性能会变差.尤其是当pn结位于SiGe/Si界面之前仅几十?就足以产生相当高的电子寄生势垒,严重恶化器件的性能.据此分析了基区B杂质的偏析和外扩对器件的影响以及SiGe/Si隔离层的作用.

著录项

来源
《电子学报》 |2000年第8期|63-65|共3页
作者
徐晨; 沈光地; 邹德恕; 陈建新; 李建军; 罗辑; 魏欢; 周静; 董欣;
展开▼
作者单位

北京工业大学电子工程系,北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子工程系,北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子工程系,北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子工程系,北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子工程系,北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子工程系,北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子工程系,北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子工程系,北京市光电子技术实验室,北京,100022;

北京工业大学电子工程系,北京市光电子技术实验室,北京,100022;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT); SiGe/Si异质界面; pn结界面;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 异质结位置对缓变集电结SiGe HBT性能的影响(英文) [J] . 雒睿 ,张伟 ,付军 . 半导体学报：英文版 . 2008,第8期
2. 杂化太阳电池中异质结界面的修饰及其对电池光电性能的影响 [J] . 裴娟 ,郝彦忠 ,孙宝 . 物理化学学报 . 2014,第003期
3. 基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响 [J] . 李立 ,戴显英 ,朱永刚 . 电子器件 . 2006,第003期
4. Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性 [J] . 张万荣 ,李志国 ,王立新 . 电子学报 . 2001,第008期
5. GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料 [J] . 邹德恕 ,徐晨 ,陈建新 . 半导体学报：英文版 . 2001,第8期
6. 等离子体起辉条件对微晶硅薄膜微结构和异质结界面的影响 [C] . 张海龙 ,刘丰珍 ,朱美芳 . 第十一届中国光伏大会暨展览会 . 2010
7. SiGe与Si兼容工艺技术研究(SiGe异质结双极晶体管HBT的研制) [A] . 刘道广 . 2001

SiGe/Si HBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅