退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
胡恒升; 张敏; 林立谨;
中国科学院上海冶金研究所微电子学分部,上海,200233;
薄介质层; 质量评估; 与时间相关电介质击穿; 击穿电量;
机译:超薄SiO_2 / HfO_2双层栅介质的TDDB特性及击穿机理
机译:具有HfLaO和HfZrLaO超薄栅极电介质的金属氧化物半导体电容器的时间相关介电击穿(TDDB)特性
机译:N2-RTA处理的Hf基高K栅极电介质的电学特性和TDDB击穿机理
机译:通过双电压斜坡电介质击穿(DVRDB)测试来预测低k / ULK互连电介质的时变电介质击穿(TDDB)特性的改进berman模型
机译:使用选择性琼脂,薄琼脂层(TAL)复苏介质和快速方法技术对动物隔离设施中的空气传播细菌进行定量,分离和鉴定。
机译:薄表层对时域NIRS估计两层介质中血流动力学变化的影响
机译:多孔低K硅基互连介质的泄漏,击穿和TDDB特性
机译:组合中溶胶和液体电介质的浪涌击穿特性
机译:线路(BEOL)时间依赖性介电击穿(TDDB)在集成电路(IC)设备的垂直互连访问(通孔)电平内的依赖性介电击穿(TDDB)缓解
机译:半导体器件的时变介电击穿TDDB测试结构及其使用的TDDB测试方法
机译:半导体器件的时变介电击穿(TDDB)测试结构以及使用该结构的TDDB测试方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。