University of Michigan.;
Germanium/silicon; Heterojunction; Junctionless transistor; Nanowire; Tunnel transistor; Vertical device;
机译:使用薄锗缓冲层在硅衬底上垂直取向的外延锗纳米线
机译:在硅衬底上由金胶体生长的垂直取向的锗纳米线,并随后去除金
机译:通过激光局部加热在Si(111)基板上按需选择性地集成单个垂直锗纳米线
机译:在绝缘体上硅锗衬底上形成的亚50nm应变n-FET和硅源/漏应力源的集成
机译:硅锗/锗纳米线平台纳米电子和纳米级
机译:用于垂直晶体管应用的磷掺杂硅/硅锗多层结构的生长和选择性蚀刻
机译:垂直定向的锗纳米线从硅基衬底上的金胶体生长,随后的金色去除
机译:0.18微米硅锗(siGe)和硅绝缘体(sOI)工艺中的衬底噪声耦合分析