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机译:硅纳米晶充电动力学和存储设备应用
Feng, Tao;
California Institute of Technology;
机译:具有硅纳米晶体作为非易失性存储器件电荷捕获层的氮化硅的存储特性
机译:含硅纳米晶的氟化镧电荷陷阱层在非易失性存储设备中的应用
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机译:硅纳米晶体器件中的电子传输:从存储应用到硅光子学。
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机译:硅纳米晶体充电动力学和存储器件应用
机译:使用等离子体沉积技术形成的纳米晶体硅层结构,其形成方法,具有该纳米晶体硅层结构的非易失性存储器件以及制造该非易失性存储器件的方法
机译:利用等离子体沉积技术形成的纳米硅层结构,具有纳米硅层结构的相同,非易失性存储设备的形成方法以及制造非易失性存储设备的方法
机译:具有硅纳米晶体的电荷俘获层的制造方法,非易失性存储装置以及使用该方法的非易失性存储装置的制造方法
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