North Carolina State University;
机译:具有AlGaN / AlGaN超晶格电子阻挡层的深紫外AlGaN发光二极管的优势
机译:在N-AlGaN底层上生长的深紫外发光AlGaN多量子阱的发射效率提高
机译:电子阻挡结构中的能带定制,提高了基于AlGaN的深紫外发光二极管的效率
机译:峰值发射低于255 nm的基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:微/纳米光子结构的高效基于III族氮化物的UV / Deep-UV发光器件。
机译:克服AlGaN深紫外发光二极管中受基本限制的光提取的一条绝妙途径:强面内发射的优先耦合
机译:基于AlGaN多量子阱的表面等离子体增强的深紫外发光二极管