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第1章 绪论
1.1. 微机电系统的发展现状及其加工技术
1.1.1.MEMS加工技术
1.1.2.基于光刻的微细加工技术
1.2. 光学光刻技术
1.2.1.接近式和接触式光刻
1.2.2.投影式光刻系统
1.2.3.光学系统分辨率
1.2.4.光刻胶技术
1.3. 光刻仿真技术的发展
1.3.1.投影式光刻仿真
1.3.2.接近式光刻及深度光刻仿真
1.4. 微细加工误差研究的意义
1.5. 本文内容安排
本章参考文献
第2章 光刻理论及遗传算法基础
2.1. 引言
2.2. 接近式光刻模型
2.3. 接近式光刻 光的标量衍射理论
2.3.1.基尔霍夫公式及瑞利-索末菲公式
2.3.2.介质表面的对光的反射
2.3.3.衍射的角谱理论
2.4. 遗传算法简介
2.4.1.遗传算法起源和特点
2.4.2.遗传算法与自然选择
2.4.3.遗传算法的基本步骤
2.4.4.遗传算法的特点
2.4.5.遗传算法的应用
本章参考文献
第3章 光刻的角谱仿真研究
3.1. 引言
3.2. 紫外光刻机的照明机理
3.3. 接近式曝光的数学模型
3.4. 角谱法计算衍射场
3.4.1.光波在空域的瑞利-索末菲衍射积分
3.4.2.光波的角谱传播公式
3.5. FFT的频谱混叠影响的控制
3.5.1.FFT计算中存在问题
3.5.2.FFT变换采样点数的选择
3.5.3.确定最小空域采样区间长度
3.6. 仿真实验
3.7. 与瑞利-索末菲积分方法的比较
3.8. 接触式曝光间隙的处理
3.9. 线宽光刻曝光的仿真及实验分析
3.9.1.线宽2微米的仿真
3.9.2.线宽5微米仿真
3.9.3.线宽10微米的仿真
3.9.4.直边衍射
3.9.5.仿真结论
3.10. 其它掩模形状的快速角谱仿真模拟
3.11. 本章总结
本章参考文献
第4章 接近式光刻掩模优化
4.1. 引言
4.2. 接近式光刻仿真模型
4.3. 矩形掩模的接近式光刻仿真
4.3.1.2微米方孔仿真
4.3.2.5微米方透光孔仿真
4.3.3.边长10微米透光孔仿真
4.3.4.矩形孔仿真结论
4.4. 掩模的优化方法讨论
4.4.1.投影式光刻的掩模优化技术
4.4.2.投影式光刻掩模修正方法总结
4.4.3.接近式光刻的掩模优化
4.5. 遗传算法设计
4.5.1.编码方式
4.5.2.适应度评价策略
4.5.3.遗传操作和算法流程图
4.6. 仿真实验
4.6.1.矩形掩模的优化
4.6.2.外拐角掩模优化结果
4.6.3.内拐角掩模优化
4.6.4.L型掩模的优化应用仿真
4.7. 本章总结
本章参考文献
第5章 深度光刻分析及优化
5.1. 引言
5.2. SU-8光刻胶介绍
5.2.1.光刻胶的工艺
5.2.2.光刻胶的特性
5.2.3.折射率
5.2.4.胶厚的控制
5.2.5.曝光工艺的控制
5.3. 紫外光在SU-8光刻胶中的传播
5.3.1.光在光刻胶内传播
5.3.2.光的吸收
5.4. 光刻胶深度曝光误差分析
5.4.1.基底反射对光刻的影响
5.4.2.波长对光刻结果的影响
5.4.3.线宽图形的深度光刻仿真与实验结果
5.4.4.微柱的光刻模拟及结果
5.4.5.微齿轮的深度模拟果
5.4.6.深度光刻误差总结
5.5. 深度光刻的优化
5.5.1.优化的方法
5.5.2.外拐角的深度光刻优化
5.5.3.优化前外拐角轮廓
5.5.4.内拐角的深度光刻优化
5.6. 本章总结
本章参考文献
第6章 结束语
6.1. 本文的主要工作
6.1.1.接近式紫外光刻的角谱仿真模型
6.1.2.基于遗传算法的掩模优化
6.1.3.深度光刻的误差分析及掩模优化
6.2. 本文的创新之处
6.2.1.频域FFT快速算法仿真
6.2.2.基于遗传算法的掩模设计优化方法
6.2.3.深度光刻的优化方法研究
6.3. 不足之处与展望
6.3.1.接近式光刻误差的其他影响因素
6.3.2.优化掩模的实验验证
6.3.3.其他掩模特征图形的优化研究
附录
致谢