光刻仿真中二维掩模近场严格耦合波分析

摘要

现代光刻中为了提高系统的分辨力,采用了各种分辨力增强技术,这些技术必然带来数值孔径的提高、光刻关键尺寸的减小、掩模厚度的增加等效果。此时,不能再应用标量衍射理论分析入射光经过掩模时的近场。而必须采用严格的电磁场仿真方法。应用严格耦合波方法,分别计算了TE偏振和TM偏振时二元掩模和衰减式相移掩模的衍射效率随掩模周期和入射角的变化；偏振度随掩模周期的变化。