Si CMOS工艺线氮化钛工艺可靠性研究

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第一章 绪 论

1.1 研究意义

1.1.1 金属淀积系统概述

1.1.2 金属化工艺优化的意义

1.1.3 金属化工艺可靠性研究意义

1.2金属化工艺可靠性研究现状

1.2.1 国内外的研究现状

1.2.2 主要研究内容

1.2.3 论文的研究目标和章节安排

第二章 金属化工艺可靠性理论与技术

2.1金属化工艺技术

2.1.1 栅工艺

2.1.2 互连工艺

2.1.3 接触孔和通孔工艺

2.2 Si CMOS金属化工艺可靠性

2.2.1 金属化工艺流程

2.2.2 金属化工艺可靠性分析技术

2.3本章小结

第三章 金属化工艺可靠性研究与分析

3.1 0.5μm Si CMOS金属化工艺可靠性问题分析

3.2缺陷机理及定位分析

3.2.1 金属化工艺中单项工艺复查

3.2.2 异常产品表观及SEM分析

3.2.3 设定实验方案，验证确认要因

3.3本章小结

第四章 氮化钛金属化工艺可靠性优化设计与实验研究

4.1氮化钛金属化工艺优化设计

4.1.1 涂胶工艺优化方案

4.1.2 曝光工艺优化方案

4.2实验验证结果及分析

4.2.1 缺陷检测验证

4.2.2 中测良率验证

4.3本章小结

第五章 总结

参考文献

致谢

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