退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
表格索引
2.1 p-GaN AlGaN/GaN HEMT器件相关理论
3.2.2 p-GaN 增强型HEMT器件栅过载应力退化研究
常雪婷;
西安电子科技大学;
机译:GaN HEMT器件上的X参数测量:降低负载-负载表征测试装置的复杂度研究
机译:SiN钝化的GaN基HEMT器件中的应变效应
机译:用于高频应用的双异质结构AIGaN / GaN DG-HEMT器件的DC和RF特性的二维仿真研究
机译:GaN基功率器件结构中的空位型缺陷-离子注入GaN和Al中的缺陷表征
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:无需预激活p型GaN的GaN基发光二极管的制造和表征
机译:通过动态和电致发光测量表征具有透明栅电极的AlGaN / GaN HEMT器件
机译:缺陷缺陷GaN模板和ZnO衬底上半导体氮化物沉积及表征的研究
机译:GaN基HEMT器件
机译:Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。