首页> 中文会议>2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 >GaN基HEMT器件可靠性研究

GaN基HEMT器件可靠性研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一.本文根据逆压电效应导致器件退化机理,从弹性势能的角度出发,对低Al组分AlGaN势垒层、InAl势垒层和AlGaN背势垒等三种结构,进行理论分析.分析表明,三种结构均能较大程度的改善GaN基HEMT器件的可靠性,希望能够为最终实现成熟可用的GaN HEMT器件提供参考.

著录项

来源
《2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》|2011年|279-283|共5页
会议地点昆明
作者
房玉龙; 敦少博; 尹甲运; 刘波; 刑东; 王晶晶; 冯志红; 蔡树军;
展开▼
作者单位

中国半导体行业协会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN323.3:TN301;
关键词
碳化镓基高电子迁移率晶体管; 微波器件; 可靠性分析; 逆压电效应; 材料结构;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 不同温度下GaN基HEMT器件氢效应试验研究 [J] . 裴选 ,席善斌 ,汪鑫 . 电子质量 . 2021,第007期
2. 不同温度下GaN基HEMT器件氢效应试验研究 [J] . 裴选 ,席善斌 ,汪鑫 . 电子质量 . 2020,第012期
3. 感光栅极GaN基HEMT器件的制备与栅极优化 [J] . 朱彦旭 ,李赉龙 ,白新和 . 发光学报 . 2019,第003期
4. GaN基HEMT器件的缺陷研究综述 [J] . 郭伟玲 ,陈艳芳 ,李松宇 . 发光学报 . 2017,第006期
5. 面向高速应用的GaN基HEMT器件 [J] . 李明月 . 电子工业专用设备 . 2015,第004期
6. 氢气对GaN基HEMT器件性能的影响 [C] . 廖雪阳 ,曾畅 ,喻业宏 . 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 . 2015
7. GaN基HEMT器件陷阱与可靠性研究 [A] . 朱青 . 2020

GaN基HEMT器件可靠性研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅