声明
致谢
摘要
第一章 绪论
1.1 课题研究背景及意义
1.2 研究的对象
1.3 国内外研究现状
1.4 本文研究工作
1.4.1 研究内容
1.4.2 主要创新点
1.5 论文组织结构
第二章 软错误理论基础
2.1 软错误产生机理
2.1.1 空间辐射环境
2.1.2 软错误形成机理
2.2 软错误分类
2.2.1 单粒子效应
2.2.2 单粒子多节点效应
2.3 软错误传播与计算
2.3.1 软错误三种屏蔽效应
2.3.2 电路软错误
2.4 集成电路软错误率评估方法
2.4.1 存储电路软错误率
2.4.2 逻辑电路软错误率
2.4.3 芯片软错误率
2.5 系统的开发环境与技术细节
2.5.1 Visual C++6.0概述
2.5.2 STL概述
2.6 本章小结
第三章 考虑单粒子多瞬态的电路软错误率计算模型
3.1 瞬态脉冲产生模型
3.1.1 单指数模型
3.1.2 双指数模型
3.1.3 UGC模型
3.2 故障概率模型
3.2.1 信号概率
3.2.2 四值逻辑
3.3 单粒子多瞬态脉冲屏蔽模型
3.3.1 逻辑屏蔽模型
3.3.2 电气屏蔽模型
3.3.3 时窗屏蔽模型
3.4 单粒子多瞬态脉冲复合模型
3.4.1 SEMT故障位置对的提取
3.4.2 SEMT故障脉冲的注入
3.4.3 SEMT故障脉冲的复合
3.5 基于概率的电路软错误率计算
3.5.1 电路失效概率计算
3.5.2 电路总体软错误率计算
3.6 本章小结
第四章 考虑单粒子多瞬态脉冲的电路软错误率评估实现
4.1 考虑SEMT的电路软错误率评估总体框架
4.2 考虑SEMT的电路软错误率评估流程
4.3 电路解析与分级
4.4 SEMT故障脉冲的传播
4.4.1 电路状态更新
4.4.2 数据通路提取
4.5 考虑SEMT的电路软错误率评估
4.6 实验结果及分析
4.6.1 实验环境
4.6.2 电路失效概率评估结果
4.6.3 电路软错误率评估结果
4.7 本章小结
第五章 总结与展望
5.1 本文总结
5.2 未来工作展望
参考文献
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况