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【6h】

MgTiO3掺杂以及Cu非化学计量比的CCTO薄膜的非线性I-V特性的研究

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第1章 绪论

1.1 压敏材料概述

1.2 CCTO材料

1.3薄膜制备工艺

1.4本课题的研究意义与主要研究内容

第2章 CCTO薄膜的制备工艺和测量方法

2.1 固相法制备陶瓷靶材

2.2 磁控溅射法制备薄膜

2.3 样品表征与性能测试

2.4 本章小结

第3章 CCTO薄膜的非线性I-V特性的理论模型

3.1引言

3.2 CCTO薄膜内部的DSB结构

3.3 CCTO材料中的电流传输模型

第4章 MgTiO3掺杂的CCTO薄膜的非线性I-V特性研究

4.1引言

4.2物相分析

4.3 薄膜样品的微观形态分析

4.4 非线性I-V特性研究

4.5 本章小结

第5章 Cu非化学计量比薄膜的非线性I-V特性研究

5.1引言

5.2 物相分析

5.3 薄膜样品微观形态分析

5.4 非线性I-V特性研究

5.5 本章小结

第6章 总结与展望

6.1总结

6.2展望

参考文献

发表论文和参加科研情况说明

致谢

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著录项

  • 作者

    李蕾;

  • 作者单位

    天津大学;

  • 授予单位 天津大学;
  • 学科 微电子学与固体电子学
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 肖谧;
  • 年度 2018
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TQ1TM9;
  • 关键词

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