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巴德纯; 佟洪波; 闻立时;
东北大学机械工程与自动化学院;
中国科学院金属研究所;
氮化铝; 中频反应溅射; 掺杂; 光致发光;
机译:薄膜晶体管中Cu-Mn合金基电极上磷掺杂的氢化非晶硅表面的臭氧溶液氧化研究
机译:通过反应性RF溅射制备的热激活,稀土掺杂(TM,TB,DY,EU,SM,YB)无定形/纳米晶AlN薄膜的热激活,阴离子和光致发光测量
机译:电子/回旋共振溅射沉积非晶AlN薄膜的Al / AlN / InP金属-绝缘体-半导体-二极管特性
机译:掺有Tb,Cu或Cu,Cr混合物的非晶AlN薄膜磷光体的发光特性
机译:掺杂和未掺杂的氢化非晶硅薄膜中纳米晶硅夹杂物的影响。
机译:200 nm厚Sa掺杂非晶AlN薄膜的强烈红色阴极和光致发光
机译:200 nm厚钐掺杂非晶alN薄膜的强烈红色阴极和光致发光
机译:mn掺杂的FINEmET前驱体非晶合金的磁性和结晶动力学
机译:增强非掺杂和/或N型氢非晶硅薄膜电子特性的方法
机译:有源层掺杂不同浓度的非晶半导体薄膜晶体管及其制造方法,可改善电流特性
机译:在非晶非掺杂半导体上的薄膜器件中形成欧姆接触的方法
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