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机译:电子/回旋共振溅射沉积非晶AlN薄膜的Al / AlN / InP金属-绝缘体-半导体-二极管特性
NTT Afty Corporation, 4-16-30, Shimorenjyaku, Mitaka-shi, Tokyo 181-0013, Japan;
InP; MIS; ECR; damage; interface traps; tetrahedral; hydrogen termination;
机译:溅射功率对脉冲直流反应溅射沉积AlN薄膜表面特性和晶体质量的影响
机译:射频磁控溅射沉积th和sa掺杂的非晶AlN薄膜的发光以及热活化对发光的影响
机译:磁控溅射AlN沉积物的微观结构图:非晶和纳米结构薄膜
机译:使用ECR等离子体增强CVD和反应性RF溅射沉积在各种基板上的AlN膜的SAW特性
机译:氟化非晶碳(a-C:F(x))和氮化铝(AlN)膜的电性能。
机译:溅射AlN:Er薄膜的基底温度相关特性用于Al / AlN多层涂层健康的原位发光传感
机译:溅射沉积的AlN / Al / Aln Multidayer nanofilms的光学性质
机译:基体组成对反应溅射alN薄膜压电响应的影响;薄固体薄膜