非晶Ge纳米薄膜的红外光致发光性能研究

摘要

Si基光源是实现单片光电集成的关键，也是长期以来人们一直关注和研究的前沿问题之一[1]。特别是为了克服体硅材料发光效率低下的问题，多年来国内外很多研究小组在纳米Si量子点的制备与发光特性研究方面开展了大量工作，并在室温下实现了较强的光致与电致光发射，其效率比体硅材料有了明显的提高。一般认为，这是由于量子限制效应使得在纳米尺度下，电子和空穴的辐射复合几率大大增加所致。但对于硅材料，量子限制效应也导致带隙随着尺寸减小而增宽，使得纳米硅量子点的带隙大于体硅材料，因此纳米硅的发光波长主要在可见光区域，无法满足光通讯与光互连对波长的要求。