GaAs pHEMT开关器件大信号模型研究

目录

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第1章 绪论

1.1 开关器件简介

1.2半导体器件建模技术简介

1.3 国内外研究现状

1.3.1 GaAs基HEMT

1.3.2 半导体器件模型

1.4 本论文的研究内容和结构安排

第2章GaAs pHEMT器件特性与测试

2.1 GaAs pHEMT特性

2.1.1 GaAs材料特性

2.1.2 HEMT器件结构

2.1.3GaAs pHEMT的器件特性

2.2 器件建模测试系统

2.3去嵌入技术

2.4 本章总结

第3章几种不同的HEMT模型

3.1 Angelov-Chalmers 模型

3.1.1 漏电流模型

3.1.2 电容模型模型

3.2 curtice3模型

3.2.1 沟道电流模型

3.2.2 栅电流模型

3.2.3 电荷模型

3.3 EEHEMT模型

3.3.1电流模型

3.3.2 电荷模型

3.4 模型提取与对比

3.5 本章小结

第4章多栅开关器件的小信号模型

4.1多栅开关小信号模型

4.2多栅器件小信号模型参数提取

4.2.1 寄生电容提取

4.2.2 寄生电阻和电感的提取

4.2.3 本征参数提取

4.3 模型验证与准确性评估

4.4 本章小结

第5章GaAs pHEMT开关器件大信号模型建模与验证

5.1 EEHEMT模型参数提取流程

5.2GaAs pHEMT开关器件模拟与测试结果验证与讨论

5.2.1 直流特性

5.2.2 栅极正向传导特性和反向击穿特性

5.2.3 电容特性拟合于测试结果比较

5.2.4 S参数拟合与测试结果比较

5.2.5 功率特性仿真与测试结果对比

5.3 基于尺寸缩放的开关大信号模型的建立

5.3.1 基于尺寸缩放的模型建立与提取

5.3.2基于尺寸缩放的模型验证与分析

5.4 本章小结

第6章 总结与展望

6.1 相关工作总结

6.2 未来工作展望

参考文献

致谢

附录