高压低功耗IGBT器件新结构与机理研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 研究工作的背景与意义

1.2 快速关断LIGBT简述

1.3 沟槽LIGBT简述

1.4 本文主要研究工作

第二章 LIGBT机理与低功耗典型技术

2.1 LIGBT工作机理与器件特性

2.1.1 正向I-V特性

2.1.2 阻断特性

2.1.3 关断特性

2.2.1 短路阳极技术

2.2.2 沟槽技术

2.3 本章小结

第三章 阳极具有NPN结构的双槽LIGBT器件特性研究

3.1 结构特征与机理分析

3.2 静态特性仿真设计

3.2.1 正向I-V特性

3.2.2 正向阻断特性

3.3 关断特性仿真设计

3.4 工艺方案设计

3.5 本章小结

第四章 分段P埋层短路阳极SOI-LIGBT器件特性研究

4.1 结构特征与机理分析

4.2 静态特性仿真设计

4.2.1 正向导通特性

4.2.2 正向阻断特性

4.3 关断特性仿真设计

4.4 器件的改进

4.4.1 PBL SPL LIGBT的结构及机理

4.4.2 PBL SPL LIGBT的性能分析

4.5 本章小结

第五章 结论

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的成果