SiC MOSFET短路特性及保护电路研究

目录

声明

1 绪论

1.1 研究背景与意义

1.2 国内外研究进展

1.3 主要研究内容

2 SiC MOSFET器件特性及驱动电路研究

2.1 静态特性

2.2 开关特性研究

2.2.1 开关瞬态过程

2.3 SiC MOSFET驱动电路设计

2.3.1 驱动电压

2.3.2 栅极电阻

2.3.3 信号隔离电路

2.4 故障信号处理

2.5 功率回路关键参数选取

2.6 本章小结

3 SiC MOSFET短路测试平台及实验分析

3.1 SiC MOSFET短路特性分析

3.2 短路测试平台

3.3 寄生参数对短路特性的影响

3.3.1 寄生电容对短路特性的影响

3.3.2 杂散电感对短路特性的影响

3.4 电路参数对短路特性的影响

3.4.1 驱动电阻RG对短路特性的影响

3.4.2 驱动电压VGS对短路特性的影响

3.4.3 母线电压VDC对短路特性的影响

3.5 短路特性实验

3.6 本章小结

4短路检测及保护电路设计

4.1 SiC MOSFET短路检测电路设计

4.1.1 短路检测电路工作原理

4.1.2 短路检测电路参数设计

4.1.3 短路检测电路实验验证

4.2 SiC MOSFET短路保护电路设计

4.2.1 固态断路器保护

4.2.2 软关断保护

4.3 软关断电路设计

4.3.1 可变栅压驱动结构

4.3.2 可变栅极电阻驱动结构

4.3.3 改进的故障关断方式

4.4 实验结果及分析

4.5 本章小结

5总结与展望

5.1 全文总结

5.2 后续工作展望

参考文献

攻读学位期间主要研究成果

致谢