Vn@Si12团簇组装纳米线结构、稳定性及电、磁学性质的理论研究

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第一章 绪论

1.1 团簇简介

1.2 团簇组装材料的研究

1.3 掺杂Si 团簇的相关研究现状

1.4 本论文的主要研究内容

第二章计算方法

2.1 第一性原理计算简介

2.2 近似方法

2.2.1 Born-Oppenheimer近似——绝热近似

2.2.2 Hartree-Fock近似

2.3 密度泛函理论

2.3.1 Hohenberg-Kohn 定理

2.3.2 Kohn-Sham 定理

2.3.3 交换关联泛函

2.4 VASP软件简介及本文参数设置

2.4.1 VASP 软件简介

2.4.2 本文参数设置

第三章 V1@Si12组装纳米线结构和电、磁学性质研究

3.1 V1@Si12纳米线的结构与稳定性

3.2 V1@Si12纳米线的磁性和电学性质

3.3 应变对V1@Si12纳米线磁性和电子性质的影响

3.4 本章小结

第四章 V3@Si12和Ti@Si12纳米线性质的拓展研究

4.1 V3@Si12纳米线的研究

4.1.1 V3@Si12纳米线的结构以及稳定性研究

4.1.2 V3@Si12纳米线的磁性以及电学性质研究

4.1.3 应变对V3@Si12纳米线的影响

4.2 Ti1@Si12纳米线

4.3 本章小结

第五章结论与展望

参考文献

致 谢

攻读硕士期间完成的学术论文