声明
第1章 绪 论
1.1引言
1.2二维层状半导体简介
1.3二维层状半导体异质结
1.4范德华异质结的器件应用
1.5本论文的主要研究目的、意义和研究内容
第2章 大尺寸WSe2/SnS2垂直异质结纳米片的制备
2.1研究背景与意义
2.2实验细节
2.3结果与讨论
2.4本章小结
第3章 WSe2/SnS2垂直异质结纳米片的光电器件研究
3.1研究背景与意义
3.2实验细节
3.3结果与讨论
3.4本章小结
第4章 量子限域的PVK/TMDC垂直异质结的可控制备
4.1研究动机与意义
4.2实验细节
4.3结果与讨论
4.4本章小结
第5章 PVK/TMDC垂直异质结的光电器件研究
5.1研究动机和意义
5.2实验细节
5.3结果与讨论
5.4 本章小结
结论与展望
1、主要研究成果与结论
2、后续工作计划与展望
参考文献
附录A 攻读学位期间所发表的学术论文
附录B 攻读学位期间参加的学术会议及获得奖励
附录C 攻读学位期间所主要参与的研究项目
致谢
湖南大学;
