法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-29
授权
授权
2016-05-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/102 申请日:20151231
实质审查的生效
2016-05-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/102 申请日:20151231
实质审查的生效
2016-04-13
公开
公开
2016-04-13
公开
公开
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 二维层状材料量子阱结器件,多量子阱器件以及制造量子阱器件的方法
机译: 二维层状材料量子阱结器件,多量子阱器件以及制造量子阱器件的方法