二维垂直异质结器件中的光生栅压效应研究

目录

声明

第1章 绪 论

1.1引言

1.2二维层状材料

1.3光生栅压效应在低维半导体及异质结中的应用

1.4本论文的主要研究目的、意义及研究内容

第2章 高质量PbI2/WS2垂直p-n异质结纳米片的合成与表征

2.1研究背景与意义

2.2 PbI2/WS2垂直异质结纳米片的制备

2.3 PbI2/WS2垂直异质结纳米片的表征

2.4本章小结

第3章 基于PbI2/WS2垂直异质结纳米片的高性能光电探测器及机理研究

3.1研究背景与意义

3.2 PbI2/WS2垂直异质结纳米片光电器件的制备

3.3 PbI2/WS2垂直异质结纳米片光电特性表征与机理研究

3.4本章小结

第4章 高稳定性的非铅Cs3Bi2I9钙钛矿纳米片的制备与光电性质研究

4.1研究背景与意义

4.2 Cs3Bi2I9钙钛矿纳米片的制备

4.3 Cs3Bi2I9钙钛矿纳米片的表征

4.4 Cs3Bi2I9钙钛矿纳米片的光电特性研究

4.4本章小结

第5章 结论与展望

5.1本论文主要研究成果与结论

5.2后续工作设想与展望

参考文献

附录A 攻读博士学位期间所发表的论文

附录B 攻读博士学位期间申请的专利

附录C 攻读博士学位期间所参与的研究项目

致谢