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GLSI新型阻挡层CMP后清洗BTA去除的研究

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第一章 绪论

1.1 研究背景

1.2 金属化工艺

1.3 CMP技术

1.4 CMP后清洗技术

1.4.1 CMP 后清洗的去除对象

1.4.2 CMP 后清洗的方法及发展历程

1.4.3 CMP 后清洗技术的发展趋势

1.5 课题研究目标及研究内容

第二章 实验所用设备

2.1 抛光实验设备

2.2 清洗实验设备

2.3 分析检测设备

2.3.1 电化学工作站

2.3.2 傅里叶变换红外光谱仪

2.3.3 接触角测量仪

2.3.4 原子力显微镜

2.3.5 金相显微镜

2.3.6 扫描电子显微镜

2.3.7 酸度计

第三章 BTA 的吸附机理与检测研究

3.1 BTA的化学性质

3.2 BTA的成膜吸附机理

3.3 BTA的检测机理与方法研究

3.3.1 常用检测方法

3.3.2 电化学检测研究

3.3.3 红外检测研究

3.4 小结

第四章 新型碱性清洗液组份研究

4.1 碱的选用及对BTA的去除研究

4.1.1 实验材料与清洗液碱性成分的选用

4.1.2 不同种类碱的 BTA 去除实验

4.2 表面活性剂的选用及对颗粒与BTA的去除研究

4.2.1 表面活性剂的选用

4.2.2 颗粒去除实验及结果

4.2.3 表面活性剂对 BTA 的去除实验

4.3 新型碱性清洗剂的组份方案确定

4.4 小结

第五章 新型碱性清洗剂的清洗效果检验及对 Cu-Co 电偶腐蚀的影响

5.1 新型碱性清洗液的清洗效果

5.2 新型碱性清洗液对铜钴电偶腐蚀的影响

5.3 小结

第六章 结论

参考文献

攻读学位期间取得的相关成果

致谢

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著录项

  • 作者

    刘宜霖;

  • 作者单位

    河北工业大学;

  • 授予单位 河北工业大学;
  • 学科 电子科学与技术
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 檀柏梅;
  • 年度 2018
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

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