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郑智雄;
安徽大学;
MOS器件; 变分法; 阈值电压;
机译:短通道无结双栅极MOSFET的准二维阈值电压模型
机译:基于二维表面电位的阈值电压模型,用于短沟道非对称重掺杂DG MOSFET
机译:深亚微米SOI动态阈值电压MOSFET的基于物理的二维电流模型
机译:调制掺杂场效应晶体管阈值电压的准二维解析模型
机译:阈值电压不稳定性对碳化硅mosfet可靠性的原因和影响
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:使用中心电势的圆柱形全栅(CGAA)MOSFET阈值电压的解析模型
机译:使用准分子激光器对金属栅极mOsFET进行阈值电压调谐
机译:逻辑块混合低阈值电压MOSFET器件和普通阈值电压MOSFET器件,用于深亚微米VLSI设计
机译:低阈值电压MOSFET器件的逻辑块,用于深亚微米形式的VLSI和正常阈值电压MOSFET器件的设计
机译:MOSFET阈值开关系统-通过使用六个MOSFET具有与触发MOSFET阈值电压无关的触发电平
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