声明
第一章 绪论
1.1 研究背景与意义
1.2 ESD测试模型及TLP测试技术
1.3 ESD测试及失效判定方法
1.4 ESD保护的研究现状和挑战
1.5 本文的结构安排
第二章 全芯片ESD保护方案设计
2.1 全芯片ESD保护方案设计
2.2 常用ESD保护器件及保护方案
2.3 电源保护单元
2.4 本章小结
第三章 直连二极管触发的SCR器件
3.1 直连二极管触发的SCR结构及问题分析
3.2 新型ERTSCR器件
3.3 新型DDCSCR器件
3.4 本章小结
第四章 二极管串触发的SCR器件
4.1 传统DTSCR高温特性及新型触发模型分析
4.2 新型TSDTSCR器件
4.3 改进型TSDTSCR器件
4.4 本章小结
第五章 NMOS触发的SCR与GGNMOS器件
5.1 传统DTSCR的电流触发问题分析
5.2 新型NCTSCR器件
5.3 新型PB-GGNMOS器件
5.4 本章小结
第六章 结论及展望
6.1 结论
6.2 工作展望
致谢
参考文献
攻读博士学位期间取得的成果
