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插图索引
符号对照表
缩略语对照表
第一章 绪论
1.1 非易失性存储器概述
1.2 RRAM阻变器件国内外研究现状
1.3本文研究内容及编排
1.4本章小结
第二章 RRAM器件相关基础知识
2.1 RRAM基本操作和工作原理
2.2 RRAM的材料体系
2.3 RRAM阻变模型和导电机制
2.4本章小结
第三章 基于PECVD工艺SiNx基RRAM器件电流特性研究
3.1 Ta/SiNx/Pt器件工艺制备流程
3.2介质中存在的主要缺陷：Si悬挂键
3.3器件电学特性
3.4导电机制及HRS电流调制效应分析
3.5对同时降低器件高、低阻态电流值的猜想和测试结果
3.6本章小结
第四章 高可靠性层叠结构forming-free SiNx RRAM器件
4.1 forming-free特性的价值和主流实现方法
4.2基于初始缺陷的forming-free RRAM器件
4.3溅射温度对薄膜质量的影响
4.4基于局部Pt掺杂的层叠结构RRAM器件
4.5样本D、样本G和样本H的阻变模型
4.6器件可靠性测试
4.7本章小结
第五章 总结与展望
5.1总结
5.2展望
参考文献
致谢
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