机译:UV固化改性的高应力氮化硅膜的局部键合结构,适用于超过45 nm Node SoC器件的应变硅技术
Process Technology Development Division, Renesas Technology Corp., 4-1 Mizuhara, Itami, Hyogo 664-0005, Japan;
high-stress silicon nitride; PECVD; tensile stress; UV curing; local bonding structure; dehydrogenization; stoichiometric; positron annihilation; tensile stress;
机译:紫外线对45 nm技术节点超低k SiOC(-H)薄膜的键合结构和电性能的影响
机译:基于应变硅的波导结构的氮化硅和碳氮化型薄膜
机译:等离子沉积富氮氮化硅薄膜的局部键合环境
机译:高拉应力UV固化氮化硅膜性能的氢依赖性45nm散装装置
机译:纳米器件的器件建模和电路性能评估:超过45 nm节点的硅技术和碳纳米管场效应晶体管。
机译:嵌入氮化硅薄膜中的硅量子点与金纳米粒子在发光器件中的耦合增强了电致发光
机译:大面积高应力氮化硅膜的微细加工 光机械设备
机译:外延氮化镓薄膜与硅基器件的生长与集成。