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机译:等离子沉积富氮氮化硅薄膜的局部键合环境
School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, The University of Western Australia, Crawley 6009, Australia;
机译:等离子体沉积富氮氮化硅薄膜的纳米压痕
机译:电子回旋共振等离子体法沉积氮化硅薄膜的键结构和氢含量
机译:等离子增强化学气相沉积氮化硅作为非晶硅薄膜晶体管的栅极介电膜的关键评论
机译:退火环境对含硅纳米颗粒的氮化硅薄膜中氢相关键结构的影响
机译:等离子辅助化学气相沉积钽氮化硅薄膜用于纳米级器件。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:电子回旋共振等离子体法沉积氮化硅薄膜的键结构和氢含量
机译:等离子体沉积的薄氮化硅薄膜在700℃的温度下的粘附,摩擦和磨损