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目录
第一章 绪 论
1.1主流高压硅功率器件技术概述
1.2本论文主要工作及创新点
1.3本论文的结构安排
第二章 高介电常数材料在横向硅基功率器件上的研究
2.1传统的PN结峰值电场抑制技术
2.2高K材料在功率器件中的应用及前人理论的不足
2.3高K场板的边缘峰值电场压制效应
2.4高K材料对横向器件其他性能的影响
2.5高K LDMOS特性的仿真研究
2.6本章小结
第三章 适用于功率器件应用的高K材料及相关工艺的研究
3.1 高K材料的选择
3.2 PZT的生长、退火、刻蚀特性研究
3.3本章小结
第四章 高K介质LDMOS的实验分析研究
4.1高K-BCD兼容工艺开发
4.2 PZT/SiO2复合介质LDMOS器件的测试研究
4.3本章小结
第五章 高K材料在硅基纵向器件上的应用
5.1高K电场调制效应在纵向器件上的充分发挥
5.2高K的载流子超强积累效应
5.3本章小结
第六章 高K超级功率器件
6.1 电荷平衡效应与电场调制效应的结合
6.2超强积累效应的充分发挥
6.3动态功耗及速度问题
6.4使用高K槽电容的电荷泵驱动器
6.5本章小结
第七章 全文总结
7.1结论
7.2下一步工作及展望
致谢
参考文献
攻博期间取得的研究成果