法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-02
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G02B 1/00 专利申请号:2021105272553 申请公布日:20210806
发明专利申请公布后的驳回
机译: 本发明涉及一种半导体器件的制造方法,该半导体器件借助于氧化膜进行元件隔离,并且利用该方法制造半导体器件。
机译: 一种用于制造半导体器件的方法,其中至少有许多服务器可以实现现场门隔离,并借助这种方法制造半导体器件
机译: 形成半导体器件的器件隔离结构的方法,该方法能够利用干蚀刻工艺去除硬掩模层,以防止损坏器件隔离结构