声明
摘要
符号表
第一章 绪论
§1.1 概述
§1.2 Ga2O3材料的性质
1.2.1 结构性质
1.2.2 电学和光学性质
§1.3 Ga2O3材料的应用
§1.4 Ga2O3材料的研究现状
§1.5 课题的选取和研究的内容
参考文献
第二章 薄膜制备方法的介绍
§2.1 薄膜制备技术
2.1.1 溶胶-凝胶法(Sol-gel)
2.1.2 真空蒸发镀膜法
2.1.3 溅射镀膜法
2.1.4 分子束外延技术
2.1.5 化学气相沉积法
§2.2 金属有机物化学气相沉积
2.2.1 MOCVD的技术特点
2.2.2 MOCVD的化学反应动力学和质量输运
2.2.3 MOCVD的热力学分析
2.2.4 MOCVD的表面过程
2.2.5 MOCVD生长系统
参考文献
第三章 薄膜的制备及测试分析方法
§3.1 本论文使用的MOCVD系统介绍
§3.2 实验前的准备
3.2.1 衬底的清洗
3.2.2 原料的选取和实验参数的确定
3.2.3 工艺流程的程序编辑
§3.3 本论文薄膜制备的工艺流程
§3.4 薄膜性能的测试分析方法
3.4.1 结构分析
3.4.2 成分分析
3.4.3 光学性质的测量
参考文献
第四章 蓝宝石衬底生长Ga2O3薄膜的研究
§4.1 四种衬底上Ga2O3薄膜样品的制备与基本结构
4.1.1 四种衬底上Ga2O3薄膜样品的制备
4.1.2 四种衬底上Ga2O3薄膜样品的基本结构
§4.2 退火对氧化镓结构性质的影响
参考文献
第五章 c面蓝宝石衬底外延β-Ga2O3薄膜的研究
§5.1 衬底温度对Ga2O3薄膜结构的影响
5.1.1 Ga2O3薄膜的组分分析
5.1.2 Ga2O3薄膜的结构随衬底温度的变化
5.1.3 Ga2O3薄膜的表面形貌随衬底温度的变化
§5.2 a-Al2O3(0001)衬底上Ga2O3薄膜外延生长机理分析
§5.3 衬底温度对Ga2O3薄膜光学性质的影响
参考文献
第六章 结论
硕士期间发表论文目录
致谢
Paper 1
学位论文评阅及答辩情况表