一种蓝宝石衬底生长纯相Ga2O3薄膜的方法及日盲紫外探测器

摘要

本申请涉及半导体材料的技术领域，具体公开了一种蓝宝石衬底生长纯相Ga2O3薄膜的方法及日盲紫外探测器，该方法包括以下步骤：通过磁控溅射方法在蓝宝石衬底上沉积得到纯相Ga2O3薄膜，磁控溅射参数为：衬底温度为500‑800℃，所述蓝宝石衬底选用（0006）、（300）、（012）取向的蓝宝石晶片中的任意一种或几种；本申请中公开的日盲紫外探测器包括所述的蓝宝石衬底及其表面外延生长的纯相Ga2O3薄膜。本申请具有可以在蓝宝石衬底上长成纯相Ga2O3薄膜，满足器件需求的特点。