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1绪论
2减薄技术原理研究
3主要磨削参数的研究
4关键技术单元研究与设计
5结论与展望
致谢
参考文献
柳滨;
华中科技大学;
晶片减薄; 塑性加工; 磨削参数; 半导体硅材料; 磨削加工; 机械工程;
机译:石英(SOQ)晶片上的单晶硅通过超低温(100℃)晶片键合和减薄方法
机译:制定热力设备管道减薄标准的趋势<以日本机械工程师协会的热力设备管道减薄技术标准为重点>
机译:减薄的单晶硅晶片的机械性能研究:尺寸和方向的影响
机译:利用安德列夫反射自旋光谱技术研究弱铁磁性和双压电晶片电热致动器的发展
机译:通过减薄微流控设备来增强微米和纳米颗粒的声聚焦
机译:利用常压等离子体等离子体蚀刻背面减薄碳化硅晶片
机译:蓝牙系统和设备的安全性:国家标准与技术研究院(NIsT)发布的更新指南。
机译:半导体晶片减薄方法,包括在凹槽的一组侧面上沉积保护层,将晶片粘贴在支撑件上,以及从晶片的背面开始直到到达凹槽组的底部来减薄晶片
机译:用于生产功率半导体组件的硅半导体晶片减薄,包括减薄抛光晶片,直到获得预设晶片厚度小于特定微米的半导体晶片
机译:非抛光玻璃晶片,减薄系统和使用该非抛光玻璃晶片来减薄半导体晶片的方法
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