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第一章绪论
1.1引言
1.2本论文的主要工作
第二章离子注入单晶Si基本过程及He离子注入单晶Si损伤过程综述
2.1离子注入形成的缺陷
2.1.1注入离子与原子的相互作用
2.1.2注入离子在材料中的运动轨迹
2.1.3 He与Si形成的系统
2.2不同剂量He离子注入单晶硅形成损伤综述
2.2.1低剂量He注入的情况
2.2.2中等剂量的He离子注入
2.2.3高剂量注入
第三章实验过程
3.1样品的制备
3.2样品的离子注入及退火
3.3注入及退火后样品的分析
3.3.1透射电子显微镜
3.3.2热解吸谱仪
3.3.3光致发光谱仪
第四章实验结果
4.1 XTEM结果
4.1.1 He注入单晶的结果
4.1.2 He离子注入含SiO2层单晶Si中的结果
4.2THDS结果
4.3 PL谱结果
第五章实验结果讨论
5.1 Si中He注入空腔生长结果讨论
5.1.1纯单晶Si中结果
5.1.2表面SiO2层对Si中He注入空腔生长结果讨论
5.2 He注入Si中He气体热释放结果讨论
5.3 PL谱结果讨论
第六章结论
参考文献
发表论文和科研情况说明
致谢