集成电工工艺中的去离子水破坏性效应研究

摘要

随着半导体制程的发展,集成度逐渐提高,制程的要求变得愈加严格,任何工艺上的缺陷或者设计上的不足都将造成电性参数异常,产生不良率。
　　 本论文对于去离子水在现有半导体制程中的应用进行了论述,结合生产实际,研究了三类由于去离子水的使用而衍生的破坏性问题。经过理论分析和试验验证,确定了解决方案,最终优化了现有制程,并已用于生产,取得了良好的效果。具体研究内容包括:
　　 一、通过调整清洗机台的通水通气方式,减少了去离子水在清洗制程中因为加大表面杂质的去除能力而造成的图形损坏问题的发生几率。
　　 二、通过在去离子水中加入二氧化碳,抑制了金属铝线制造过程中产生的电化学效应,从而解决了电迁移失效的问题。
　　 三、通过优化去离子水对显影残留物的清洗方式,解决了由于摩擦静电和天线效应而产生的栅氧化层的破坏问题。