多晶硅生产过程金属杂质影响因素研究

摘要

随着自然环境的污染、生态环境的破坏及可用资源的枯竭等问题日趋严重，开拓、推广并高效利用干净环保的可再生能源已经成为社会瞩目的核心。太阳能是一种取之不尽、用之不竭的可再生能源，对环境没有一点污染，完全符合当前节能减排的环保要求，其中以太阳能为主的光伏发电最受关注。太阳能光伏电池的主要原料之一就是晶体硅。
　　多晶硅中的金属杂质主要来源有两种，一种是原料带来的，一种是由于铸造过程中的坩埚污染造成的。其中，原料多晶硅中的金属杂质含量占主要部分。多晶硅的金属杂质包括表金属杂质和体金属杂质。体金属主要来源于生产多晶硅产品的物料，容易通过精馏方法将其他元素去除，但无法完全去除，只能尽可能的降低。外界环境的其他元素落入多晶硅表面，我们称之为多晶硅料的表面金属杂质。多晶硅表面金属杂质主要包含Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、W、Pb，共计16种元素。而表面金属杂质来源为环境、人员、辅材，主要发生在硅料的存储、破碎、包装环节。
　　本文使用电感耦合等离子体质谱仪检测各关键过程及接触物质对多晶硅表金属杂质含量的影响，尤其是包装材料带来的影响。通过研究分析发现，特殊材料的析出杂质比塑料膜的析出的总杂质含量低；普通包装袋的金属杂质总量比千级包装袋高；与不同的包装袋接触一定时间后，普通包装袋内的多晶硅表面金属杂质含量升高较多。因此，选择千级包装袋包装，对多晶硅表金属杂质的影响更小。

目录

声明

第一章 绪论

1.1研究背景

1.2多晶硅金属来源及行业研究现状

1.3研究的主要内容和意义

第二章 生产环节对多晶硅表金属的影响研究

2.1前言

2.2样品及试剂

2.3试验仪器

2.4试验方法

2.5结果与讨论

2.6小结

第三章 包装过程对多晶硅表金属的影响研究

3.1前言

3.2试验材料

3.3试验仪器

3.4试验方法

3.5结果与讨论

3.6结论

第四章 结论与展望

参考文献

发表论文和参加科研情况说明

致谢