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孙培华;
电子科技大学;
Al2O3; 栅介质; TFT; ZnO制备;
机译:低压金属有机化学气相沉积法制备ZnO / GaN / Al2O3和ZnO / Al2O3薄膜的性能比较研究
机译:远程等离子体原子沉积Al2O3栅介质的GaN MIS电容器的制备与性能
机译:背栅法和顶栅法制备的基于ZnO纳米线的场效应晶体管的电性能比较
机译:具有溅射Al2O3栅介质的自对准顶栅ZnO TFT
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:使用掺Sr的Al2O3栅介质的高迁移率喷墨印刷铟镓锌氧化物薄膜晶体管
机译:原子层沉积法制备栅介质ZrO2 / al2O3双层薄膜的特性
机译:二氧化硅热氮化制备薄氧氮化物栅介质的性能
机译:将基于P2O5-BaO-(Al2O3)-(Li2O)-(Na2O)-(K2O)-(MgO)-(CaO)-(SrO)-(ZnO)-CuO的玻璃用作近红外吸收滤光片彩色电视摄像机
机译:具有增强的场发射性能的Zno纳米线的制备方法以及通过使用DC电压使用Zno纳米线增强设备的场发射性能的方法
机译:制备CUO / ZNO / AL2O3甲醇合成三元催化剂的方法。
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